TSMC получены удовлетворительные результаты 45-нм техпроцесса, начинается работа над 32-нм
HashFlare
 
Главная HI-TECH Форум Поиск Книги Авторам Новости партнёров Реклама
Новостей на сайте: 10263
Программы  
  Система
  Безопасность
  Интернет и сети
  Текст
  Графика и дизайн
  Мультимедиа
  Программирование
  Бизнес
  Образование
  Дом, семья, хобби
  Игры и развлечения
 
Рассылка
 
HashFlare
 
Рейтинг программ...    
    Ф2Мастер Банк (138315)
    Коллекция руссификаторов O-S (34771)
    Товар версия 1.10 (25292)
    Коллекция софта № 13 (24856)
    NetGraf 1.0 (23980)
    New_Profile v3.4 (400) (23921)
    Revolter Commander 3.9 beta 8 (16376)
    Коллекция софта № 14 (15727)
    Net Transport 2.22 (15389)
    Intel Sound MAX 4.0 Ac' 97 5.12.01 (15206)
 

[!] Знаете ли Вы, что подписавшись на нашу рассылку, Вы будете получать еженедельные обзоры лучшего программного обеспечения для вашего компьютера, а также статьи необходимые каждому?


Новости Hi-Tech индустрии HI-TECH
TSMC получены удовлетворительные результаты 45-нм техпроцесса, начинается работа над 32-нм

По сообщению тайваньского сайта DigiTimes, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) произведено тестирование подложек, изготовленных с применением 45-нм технологического процесса, принесшее удовлетворительные результаты.

В ближайшее время начнется совместная деятельность TSMC и Freescale Semiconductor по разработке 32-нм техпроцесса. В качестве участников разработки также выступят STMicroelectronics и Philips, а опытное производство планируется начать на заводе Fab Crolles2, расположенном во Франции.

Напомним, что TSMC, в отличие от Intel, внедряет иммерсионные инструменты для производства по 45-нм нормам, они же планировались применяться и для 32-нм техпроцесса.

Сейчас 45-нм процесс TSMC содержит 10 металлизированных слоев, длина затвора не превышает 26 нм. Проводники выполняются из меди, в области затвора создается тройной слой оксида кремния, используется "напряженный кремний" (strained silicon) и новое поколение диэлектриков с малой диэлектрической постоянной (low-k). Для выпуска микросхем с соблюдением норм 45-нм техпроцесса используются 193-нм иммерсионные литографические инструменты производства ASML. Диэлектрическая проницаемость low-k пленки составляет 2,5-2,6. Для сравнения, в 90-нм и 65-нм процессах используются low-k диэлектрики с диэлектрической постоянной 2,9-3,0. Пленки напыляются по технологии Applied Materials Black Diamond.

Источник: www.digitimes.com, www.ixbt.com


Ссылки по теме:
В системную плату ASUS KGPE-D16 можно установить два 12-ядерных процессора AMD
HP разрабатывает материалы для цветной «электронной бумаги»
SiliconEdge – новый SSD от WD
Компания Xyratex первой провела полную проверку нового жесткого диска Seagate Cheetah 15k.5 4гбит/сек Fibre Channel
ATI продвигает новую технологию - Stream Computing



 
Статьи    
  Windows 10
  Windows 8
  Windows 7
  Windows Vista
  Windows XP/2003
  Windows NT/2000
  Безопасность
  Windows 9x/ME
  Hardware
  Software
  Интернет
  BIOS
  Сеть
  Разное
 
Рекомендуем
 
 
Рейтинг статей...    
    Предел входящих подключений в Windows (128679)
    Как установить Windows XP на ноутбук или как добавить SATA-драйвер в дистрибутив Windows XP (69522)
    Из дома в офис - быстро, надежно и безопасно (55392)
    Всё, что надо начинающему хакеру (50389)
    Восстановление реестра Windows XP (23279)
    Второй сервис-пак для Windows XP: личный опыт (23150)
    Вызываем синий экран смерти Windows (18428)
    Настройка удаленного подключения между Windows 7 и Linux с помощью TightVNC (17426)
    Информация о proxy серверах (17278)
    Как устроена защита Windows Vista (17125)
 
 
Programmed by Ventura
 

 

Яндекс цитирования